導讀：碳化硅可滿足新能源行業的發展需求，這也容易為替代IGBT的最好方法，據悉目前意法半導體即將推出第三代碳化硅晶體管用于主要場景，以下是具體內容了。
碳化硅(Sic)功率器件的耐高壓、耐高溫、低損耗、體積小等性能優勢可滿足新能源行業的發展需求，直擊電動車的“里程焦慮”與“充電焦慮”兩大痛點，也被譽為替代IGBT的最佳人選。
日前，意法半導體中國宣布，正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶體管，推進在電動汽車動力系統功率設備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。
隨著電動汽車市場加速發展，許多整車廠商和配套供應商都在采用 800V驅動系統，之所以采用 800V驅動系統這是以加快充電速度，幫助減輕電動汽車重量，新的800V系統能夠幫助整車制造商生產行駛里程更長的汽車。
意法半導體的新一代SiC器件專門為這些高端汽車應用進行了設計優化，包括電動汽車動力電機逆變器、車載充電機、DC/DC變換器和電子空調壓縮機。
官方表示，新一代產品還適合工業應用，可提高驅動電機、可再生能源轉換器和儲能系統、電信電源、數據中心電源等應用的能效。
意法半導體目前已完成第三代SiC技術平臺相關標準認證，從該技術平臺衍生的大部分產品預計在2021年底前達到商用成熟度。標稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市，為設計人員研發從市電取電，到電動汽車高壓電池和充電機供電的各種應用提供更多選擇。首批上市產品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。
以上就是關于IGBT不香了 意法半導體推出第三代碳化硅功率器件的全部內容了。
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